Дослідники зі Школи інженерних та прикладних наук Пенсільванського університету здійснили значний прорив у галузі напівпровідникових технологій, успішно виростивши високоефективний двовимірний напівпровідниковий матеріал – селенід індія (InSe) – на повнорозмірній промисловій пластині.

На відміну від традиційного кремнію, InSe може осідати при нижчих температурах, що робить його сумісним з кремнієвими чіпами. Унікальні властивості матеріалу дозволяють виготовляти тонші компоненти мікросхем, що забезпечує більший контроль над потоком електроенергії та зниження енергоспоживання. Крім того, чистота та кристалічна впорядкованість InSe роблять його ідеальним кандидатом для створення сучасних обчислювальних мікросхем.

Це відкриття відкриває шлях до створення більш ефективних і потужних електронних пристроїв, оскільки напівпровідникова промисловість виходить за рамки кремнію, щоб задовольнити потреби, що зростають, в обчислювальній потужності, зменшенні розмірів чіпів і поліпшенні управління енергоспоживанням.